单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorInfineon Technologies
系列
-G3R™OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.7A（Ta）9A（Tc）300A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 100A，10V25 毫欧 @ 5A，10V585 毫欧 @ 4A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 2mA3V @ 250µA3.8V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 15 V53.1 nC @ 10 V216 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
454 pF @ 1000 V2569 pF @ 30 V16011 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）91W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 155°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-2POWERDI3333-8TO-263-7
封装/外壳
8-PowerVDFN16-PowerSOP 模块TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N10S5N015TATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
2,331
现货
1 : ¥57.96000
剪切带（CT）
1,800 : ¥32.88816
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tj）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
PowerDI3333-8
DMP6023LFGQ-13
MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
2,793
现货
3,093,000
工厂
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.39847
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 155°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
GA20JT12-263
G3R450MT17J
SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
6,029
现货
1 : ¥66.01000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
9A（Tc）
15V
585 毫欧 @ 4A，15V
2.7V @ 2mA
18 nC @ 15 V
±15V
454 pF @ 1000 V
-
91W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。