单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Texas InstrumentsVishay Siliconix
系列
FemtoFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Ta）3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.8V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
54 毫欧 @ 1A，4.5V94 毫欧 @ 500mA，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.42 nC @ 4.5 V6.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
-12V±5V
供应商器件封装
3-PICOSTAR4-Microfoot
封装/外壳
3-XFDFN4-XFBGA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
CSDxxxxF4T
CSD25484F4
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Texas Instruments
26,981
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80475
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.5A（Ta）
1.8V，8V
94 毫欧 @ 500mA，8V
1.2V @ 250µA
1.42 nC @ 4.5 V
-12V
230 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
4-XFBGA
SI8802DB-T2-E1
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
28,740
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.14196
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
3A（Ta）
1.2V，4.5V
54 毫欧 @ 1A，4.5V
700mV @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
±5V
-
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。