单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET® Gen IVTrenchFET® Gen V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
20 V30 V70 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA（Ta）1.8A（Ta）19.6A（Ta），67.4A（Tc）47.1A（Ta），162A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V3.3V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 20A，10V6.25 毫欧 @ 10A，4.5V230 毫欧 @ 1.8A，10V400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.6V @ 250µA1.8V @ 218µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V14.3 nC @ 10 V33.5 nC @ 4.5 V65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±12V+16V，-12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60.67 pF @ 16 V329 pF @ 25 V2780 pF @ 35 V2950 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
280mW（Ta）1.8W（Ta）4.8W（Ta），57W（Tc）
供应商器件封装
PG-SOT223-4PowerPAK® 1212-8SHSOT-523
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SHSOT-523TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1012TQ-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Diodes Incorporated
964,764
现货
1,647,000
工厂
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28340
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-223-4
BSP372NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Infineon Technologies
12,084
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.03952
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.8A（Ta）
4.5V，10V
230 毫欧 @ 1.8A，10V
1.8V @ 218µA
14.3 nC @ 10 V
±20V
329 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
PowerPAK 1212-8SH
SISS52DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
Vishay Siliconix
4,783
现货
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.14025
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
47.1A（Ta），162A（Tc）
4.5V，10V
1.2 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
65 nC @ 10 V
+16V，-12V
2950 pF @ 15 V
-
4.8W（Ta），57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
SISS76LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Vishay Siliconix
6,000
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.34969
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
70 V
19.6A（Ta），67.4A（Tc）
3.3V，4.5V
6.25 毫欧 @ 10A，4.5V
1.6V @ 250µA
33.5 nC @ 4.5 V
±12V
2780 pF @ 35 V
-
4.8W（Ta），57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。