单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
EPConsemi
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V170 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）5A（Ta）6A（Ta）14A（Ta）24A（Ta）48A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 20A，5V9 毫欧 @ 10A，5V22 毫欧 @ 14A，5V30 毫欧 @ 6A，5V100 毫欧 @ 3A，5V1.6 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 1.2mA2.5V @ 1mA2.5V @ 2mA2.5V @ 3mA2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 5 V2.2 nC @ 5 V5.9 nC @ 5 V7.4 nC @ 5 V11 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V140 pF @ 100 V220 pF @ 50 V600 pF @ 100 V836 pF @ 85 V1140 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
280mW（Tj）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
SC-70-3（SOT323）模具
封装/外壳
SC-70，SOT-323模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-3
2N7002W
MOSFET SOT323 N 60V 13.5OHM
onsemi
55,404
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63697
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 50mA，5V
2V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
14,247
现货
1 : ¥18.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.38146
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
6A（Ta）
5V
30 毫欧 @ 6A，5V
2.5V @ 1.2mA
2.2 nC @ 5 V
+6V，-4V
220 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
9,942
现货
1 : ¥19.54000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.82258
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
14A（Ta）
5V
22 毫欧 @ 14A，5V
2.5V @ 2mA
5.9 nC @ 5 V
+6V，-4V
600 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
EPC
27,284
现货
1 : ¥27.26000
剪切带（CT）
2,500 : ¥13.26373
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
170 V
24A（Ta）
5V
9 毫欧 @ 10A，5V
2.5V @ 3mA
7.4 nC @ 5 V
+6V，-4V
836 pF @ 85 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
17,516
现货
1 : ¥30.70000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.05701
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
5A（Ta）
5V
100 毫欧 @ 3A，5V
2.5V @ 1mA
1.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2034C
GANFET N-CH 200V 48A DIE
EPC
23,008
现货
1 : ¥75.94000
剪切带（CT）
500 : ¥47.88582
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
48A（Ta）
5V
8 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 7mA
11 nC @ 5 V
+6V，-4V
1140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。