单 FET,MOSFET

结果 : 4
系列
HEXFET®OptiMOS™SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
80 V100 V120 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A(Tc)15A(Tc)40A(Tc)70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 20A,10V11.1 毫欧 @ 70A,10V200 毫欧 @ 11.3A,10V600 毫欧 @ 2.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1.54mA3.8V @ 36µA4V @ 250µA4V @ 83µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23 nC @ 10 V29.5 nC @ 10 V62 nC @ 10 V65 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
300 pF @ 25 V1490 pF @ 25 V2080 pF @ 40 V4355 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
43W(Tc)69W(Tc)125W(Tc)128W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TO252-3PG-TSDSON-8-26TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PowerTDFN
BSZ075N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
65,652
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.26864
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
40A(Tc)
6V,10V
7.5 毫欧 @ 20A,10V
3.8V @ 36µA
29.5 nC @ 10 V
±20V
2080 pF @ 40 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-26
8-PowerTDFN
TO252-3
SPD15P10PLGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Infineon Technologies
4,344
现货
1 : ¥11.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.97012
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
15A(Tc)
4.5V,10V
200 毫欧 @ 11.3A,10V
2V @ 1.54mA
62 nC @ 10 V
±20V
1490 pF @ 25 V
-
128W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD70N12S311ATMA1
MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Infineon Technologies
8,428
现货
1 : ¥16.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.49036
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
70A(Tc)
10V
11.1 毫欧 @ 70A,10V
4V @ 83µA
65 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR220NTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Infineon Technologies
18,646
现货
1 : ¥11.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.00178
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
5A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 2.9A,10V
4V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 25 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。