单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®π-MOSV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
650mA（Ta）5.9A（Ta），8.3A（Tc）36A（Ta），235A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，5V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29.2 毫欧 @ 5.9A，10V1.8 欧姆 @ 150mA，5V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5 nC @ 5 V29 nC @ 10 V91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60 pF @ 12 V1330 pF @ 50 V6660 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）2.5W（Ta），5W（Tc）3.8W（Ta），166W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
8-DFN（5x6.15）8-SOICSOT-23F
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-3 扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
NTMFSC1D6N06CL
MOSFET N-CH 60V 36A/235A 8DFN
onsemi
317
现货
6,000
工厂
1 : ¥22.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.78213
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
36A（Ta），235A（Tc）
-
-
2V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
6660 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），166W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6.15）
8-PowerVDFN
31,303
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.93731
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
650mA（Ta）
3V，5V
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
2V @ 1mA
1.5 nC @ 5 V
±12V
60 pF @ 12 V
-
1W（Ta）
150°C
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
8-SOIC
SI4056ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Vishay Siliconix
21,026
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.63495
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.9A（Ta），8.3A（Tc）
-
29.2 毫欧 @ 5.9A，10V
2.5V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。