单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Littelfuse Inc.Vishay SiliconixWolfspeed, Inc.
系列
C3M™EHiPerFET™, PolarTrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V650 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
440mA（Tc）4.6A（Tc）17，4A（Tc）20A（Tc）22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V4.5V，10V10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
75 毫欧 @ 3A，10V157 毫欧 @ 6.76A，15V235 毫欧 @ 11A，10V520 毫欧 @ 10A，10V1.41Ohm @ 2A，1.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 250µA3.6V @ 1.86mA4V @ 250µA5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.1 nC @ 4.5 V16 nC @ 10 V28 nC @ 15 V72 nC @ 10 V86 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+19V，-8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140 pF @ 25 V620 pF @ 20 V640 pF @ 400 V1388 pF @ 100 V4685 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
430mW（Tc）2.5W（Tc）32W（Tc）98W（Tc）500W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SC-70-6SOT-23-3（TO-236）TO-247-3TO-247AD（IXFH）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-6
SQ1464EEH-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Vishay Siliconix
8,028
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07059
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
440mA（Tc）
1.5V
1.41Ohm @ 2A，1.5V
1V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±8V
140 pF @ 25 V
-
430mW（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
C2D10120D
C3M0120065D
650V 120M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
425
现货
1 : ¥90.72000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
22A（Tc）
15V
157 毫欧 @ 6.76A，15V
3.6V @ 1.86mA
28 nC @ 15 V
+19V，-8V
640 pF @ 400 V
-
98W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-263AB
SIHB21N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Vishay Siliconix
960
现货
1 : ¥16.09000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
17，4A（Tc）
10V
235 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±30V
1388 pF @ 100 V
-
32W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-23-3
SQ2319ADS-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
13,181
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.17272
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.6A（Tc）
4.5V，10V
75 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 20 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-247_IXFH
IXFH20N80P
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥83.41000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
20A（Tc）
10V
520 毫欧 @ 10A，10V
5V @ 4mA
86 nC @ 10 V
±30V
4685 pF @ 25 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247AD（IXFH）
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。