单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®OptiMOS™SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）170mA（Ta）21A（Ta），40A（Tc）27A（Ta），85A（Tc）32A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 50A，10V1.6 毫欧 @ 20A，10V3.8 毫欧 @ 20A，10V8 欧姆 @ 170mA，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 20µA2V @ 250µA2.35V @ 50µA2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5 nC @ 10 V31 nC @ 10 V61 nC @ 10 V88 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
19 pF @ 25 V30 pF @ 5 V2155 pF @ 25 V4300 pF @ 20 V6550 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）360mW（Ta）2.3W（Ta），83W（Tc）2.5W（Ta），96W（Tc）2.7W（Ta），37W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN（5x6）8-PQFN 双（3.3x3.3）PG-SOT23SOT-23-3（TO-236）SuperSO8
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
381,403
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50026
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
58,363
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50759
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC014N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Infineon Technologies
14,869
现货
1 : ¥13.71000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.96040
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
32A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1.4 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SuperSO8
8-PowerTDFN
IRFHM830DTR2PBF
IRFHM830TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Infineon Technologies
7,833
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.76250
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
3.8 毫欧 @ 20A，10V
2.35V @ 50µA
31 nC @ 10 V
±20V
2155 pF @ 25 V
-
2.7W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN 双（3.3x3.3）
8-PowerVDFN
8-DFN
AON6240
MOSFET N-CH 40V 27A/85A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
31,472
现货
1 : ¥11.16000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.64970
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
27A（Ta），85A（Tc）
4.5V，10V
1.6 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±20V
6550 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。