单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-CoolMOS™ P7HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
25 V50 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80mA（Ta）200mA（Ta）220mA（Ta）18A（Tc）33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
44 毫欧 @ 16A，10V180 毫欧 @ 5.6A，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V4 欧姆 @ 400mA，4.5V100 欧姆 @ 60mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.06V @ 250µA1.5V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 10 V25 nC @ 10 V71 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V25 pF @ 25 V50 pF @ 25 V1081 pF @ 400 V1960 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）350mW（Ta）1.1W（Ta）26W（Tc）130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-312SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
365,394
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45080
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
92,761
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-220AB PKG
IRF540NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Infineon Technologies
138,597
现货
1 : ¥7.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33A（Tc）
10V
44 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
SOT-23-3
DMN60H080DS-7
MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Diodes Incorporated
54,091
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66535
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
80mA（Ta）
4.5V，10V
100 欧姆 @ 60mA，10V
3V @ 250µA
1.7 nC @ 10 V
±20V
25 pF @ 25 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-TO220-3-312
IPA60R180P7SXKSA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Infineon Technologies
1,864
现货
1 : ¥14.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
18A（Tc）
10V
180 毫欧 @ 5.6A，10V
4V @ 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
26W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3-312
TO-220-3 整包
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。