单 FET，MOSFET

结果 : 7
系列
-UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）170mA（Ta）1.7A（Ta）2.2A（Ta）12A（Ta）15.5A（Ta）44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 2.2A，4.5V69 毫欧 @ 22A，10V94 毫欧 @ 6A，10V150 毫欧 @ 7.5A，5V185 毫欧 @ 2.4A，10V6 欧姆 @ 100mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 1mA4V @ 1mA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 4.5 V14.3 nC @ 10 V20 nC @ 10 V26 nC @ 5 V61 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 25 V50 pF @ 25 V300 pF @ 10 V450 pF @ 25 V492 pF @ 25 V1190 pF @ 25 V2870 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）225mW（Ta）500mW（Ta）1W（Ta）1.5W（Ta），48W（Tj）65W（Tc）307W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKSOT-223（TO-261）SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
270,813
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49111
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 100mA，10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
82,981
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN337N
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
onsemi
149,744
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.53127
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.2A（Ta）
2.5V，4.5V
65 毫欧 @ 2.2A，4.5V
1V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
300 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DPAK_369C
NTD20P06LT4G
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
onsemi
7,353
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.65924
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
15.5A（Ta）
5V
150 毫欧 @ 7.5A，5V
2V @ 250µA
26 nC @ 5 V
±20V
1190 pF @ 25 V
-
65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-223 (TO-261)
NTF2955T1G
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
onsemi
17,516
现货
12,000
工厂
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
1,000 : ¥4.07707
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Ta）
10V
185 毫欧 @ 2.4A，10V
4V @ 1mA
14.3 nC @ 10 V
±20V
492 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
TO-263
FDB44N25TM
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
onsemi
4,849
现货
1 : ¥21.18000
剪切带（CT）
800 : ¥11.84551
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
44A（Tc）
10V
69 毫欧 @ 22A，10V
5V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±30V
2870 pF @ 25 V
-
307W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
DPAK_369C
NTD3055-094T4G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
onsemi
11,050
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.91974
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta）
10V
94 毫欧 @ 6A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 25 V
-
1.5W（Ta），48W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。