单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）1.7A（Tc）13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
185 毫欧 @ 5.3A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V3.3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA3.5V @ 40µA4V @ 260µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V4.6 nC @ 10 V24 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V93 pF @ 100 V1080 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）18.1W（Tc）77W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3PG-VSON-4SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
4-PowerTSFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
253,883
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29870
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IPD60R3K3C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Infineon Technologies
2,410
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.29113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
1.7A（Tc）
10V
3.3 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
93 pF @ 100 V
-
18.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-VSON-4
IPL60R185C7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Infineon Technologies
2,922
现货
1 : ¥23.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.97902
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
13A（Tc）
10V
185 毫欧 @ 5.3A，10V
4V @ 260µA
24 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 400 V
-
77W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。