单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）115mA（Tc）200mA（Ta）300mA（Ta）1.37A（Ta）7.5A（Ta）240A（Tc）390A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V2.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.25 毫欧 @ 195A，10V2 毫欧 @ 10A，10V23 毫欧 @ 7.5A，10V120 毫欧 @ 1A，4.5V1 欧姆 @ 300mA，10V1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.5V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 4.5 V37 nC @ 10 V240 nC @ 10 V731 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V45 pF @ 5 V50 pF @ 25 V840 pF @ 20 V2015 pF @ 25 V9130 pF @ 25 V62190 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）200mW（Ta）225mW（Ta）329mW（Ta）2.5W（Ta）380W（Tc）600W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICD2PAK（7-Lead）PowerPAK® 8 x 8SC-70-3（SOT323）SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）UMT3F
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 8 x 8SC-70，SOT-323SC-85TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
90,047
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
FDS3672
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
onsemi
5,852
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.14876
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7.5A（Ta）
6V，10V
23 毫欧 @ 7.5A，10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
2015 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT 23-3
2N7002LT3G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
24,372
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.28474
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
MMBF0201NLT1G
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
onsemi
33,111
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78250
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
1 欧姆 @ 300mA，10V
2.4V @ 250µA
-
±20V
45 pF @ 5 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
UMT3F
RU1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
25,800
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37221
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
UMT3F
SC-85
SC-70-3
NTS4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
onsemi
22,136
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70596
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.37A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 1A，4.5V
1.5V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 20 V
-
329mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
PowerPAK_8X8L_Top
SQJQ141EL-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
172
现货
1 : ¥27.01000
剪切带（CT）
2,000 : ¥13.13750
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
390A（Tc）
4.5V，10V
2 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
731 nC @ 10 V
±20V
62190 pF @ 25 V
-
600W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
D2PAK SOT427
IRFS3004TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Infineon Technologies
10,308
现货
1 : ¥32.92000
剪切带（CT）
800 : ¥19.90056
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
240A（Tc）
10V
1.25 毫欧 @ 195A，10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9130 pF @ 25 V
-
380W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK（7-Lead）
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。