单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.1A（Ta）5.7A（Ta）9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 7.5A，10V32 毫欧 @ 7A，10V46 毫欧 @ 4.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 5µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5 nC @ 4.5 V20 nC @ 5 V38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
290 pF @ 16 V1006 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）1.5W（Ta）2.5W（Ta），4.2W（Tc）
供应商器件封装
8-SOICMicro3™/SOT-23
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6246TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Infineon Technologies
223,566
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77328
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.1A（Ta）
2.5V，4.5V
46 毫欧 @ 4.1A，4.5V
1.1V @ 5µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
290 pF @ 16 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
SI4431CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Vishay Siliconix
40,262
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.29231
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9A（Tc）
4.5V，10V
32 毫欧 @ 7A，10V
2.5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1006 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），4.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4431BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Vishay Siliconix
30,521
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.27896
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.7A（Ta）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 7.5A，10V
3V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。