单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial CoonsemiSTMicroelectronics
系列
-MDmesh™ K5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
60 V100 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA(Ta)3A(Ta)6A(Tc)41.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
23 毫欧 @ 20A,10V125 毫欧 @ 3A,4.5V1.1 欧姆 @ 3A,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.7 nC @ 4.5 V6 nC @ 4.5 V21.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
24.5 pF @ 20 V247 pF @ 30 V1544 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
280mW(Tj)350mW(Ta)1.4W(Ta)110W(Tc)
供应商器件封装
DPAKSC-70-3(SOT323)SOT-23TO-252(DPAK)
封装/外壳
SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-3
2N7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
18,354
现货
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.28769
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
310mA(Ta)
4.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
SOT 23
SI2310-TP
MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Micro Commercial Co
65,931
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83983
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3A(Ta)
10V
125 毫欧 @ 3A,4.5V
2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
247 pF @ 30 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-252 D-Pak Top
DMT10H025SK3-13
MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
Diodes Incorporated
4,523
现货
50,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.86645
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
41.2A(Tc)
6V,10V
23 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
21.4 nC @ 10 V
±20V
1544 pF @ 50 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD6N90K5
MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
STMicroelectronics
7,060
现货
1 : ¥19.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.62376
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
6A(Tc)
10V
1.1 欧姆 @ 3A,10V
5V @ 100µA
-
±30V
-
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 4

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。