单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
20 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A（Ta）102A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28毫欧 @ 60A，20V54 毫欧 @ 4.3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 10µA4.3V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.9 nC @ 4.5 V220 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
±12V+25V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
570 pF @ 16 V2943 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）510W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23TO-247-4L
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-4
NVH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
onsemi
1,403
现货
1 : ¥420.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
102A（Tc）
20V
28毫欧 @ 60A，20V
4.3V @ 20mA
220 nC @ 20 V
+25V，-15V
2943 pF @ 800 V
-
510W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
SOT-23-3
IRLML2244TRPBF
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
12,071
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84900
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.3A（Ta）
2.5V，4.5V
54 毫欧 @ 4.3A，4.5V
1.1V @ 10µA
6.9 nC @ 4.5 V
±12V
570 pF @ 16 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。