单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™ 6PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Ta）2.7A（Ta）54A（Ta），440A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.7 毫欧 @ 100A，10V109 毫欧 @ 2.7A，10V220 毫欧 @ 1.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V152 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
210 pF @ 50 V401 pF @ 25 V7900 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）1.6W（Ta）3.8W（Ta），250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HSOF-5-4SOT-23-3SuperSOT™-6
封装/外壳
5-PowerSFNSOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN10H220L-7
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Diodes Incorporated
106,589
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12971
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.4A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 1.6A，10V
2.5V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±16V
401 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SG6858TZ
FDC8601
MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
onsemi
16,540
现货
3,000
工厂
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.71735
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2.7A（Ta）
6V，10V
109 毫欧 @ 2.7A，10V
4V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
210 pF @ 50 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
IST011N06NM5AUMA1
IST007N04NM6AUMA1
MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5
Infineon Technologies
1,213
现货
1 : ¥29.47000
剪切带（CT）
2,000 : ¥14.34251
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
54A（Ta），440A（Tc）
6V，10V
0.7 毫欧 @ 100A，10V
3.3V @ 250µA
152 nC @ 10 V
±20V
7900 pF @ 20 V
-
3.8W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。