单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
HEXFET®OptiMOS™STripFET™ IITrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Tc）24A（Tc）50A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8 毫欧 @ 100A，10V6.8 毫欧 @ 50A，10V8 毫欧 @ 10A，10V40 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 100µA2.5V @ 250µA4V @ 110µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V49 nC @ 4.5 V51 nC @ 10 V134 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±18V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
660 pF @ 25 V2406 pF @ 20 V3779 pF @ 50 V10740 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
6W（Tc）60W（Tc）143W（Tc）158W（Tc）
供应商器件封装
8-SOICDPAKPG-TO263-3TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_DPAK(TO252-3)
STD20NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STMicroelectronics
11,285
现货
1 : ¥11.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.95748
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
24A（Tc）
5V，10V
40 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±18V
660 pF @ 25 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRLR3636TRPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Infineon Technologies
15,445
现货
1 : ¥15.52000
剪切带（CT）
2,000 : ¥6.98088
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
6.8 毫欧 @ 50A，10V
2.5V @ 100µA
49 nC @ 4.5 V
±16V
3779 pF @ 50 V
-
143W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-SOIC
SQ4050EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Vishay Siliconix
4,192
现货
1 : ¥8.29000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.43630
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
19A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
2406 pF @ 20 V
-
6W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Infineon Technologies
2,734
现货
1 : ¥24.96000
剪切带（CT）
1,000 : ¥12.88217
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
10V
1.8 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 110µA
134 nC @ 10 V
±20V
10740 pF @ 25 V
-
158W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。