单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™ 5TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
224mA(Ta)60A(Tc)300A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 毫欧 @ 100A,10V5.5 毫欧 @ 15A,10V1.4 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2.5V @ 250µA3.8V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.7 nC @ 4.5 V111 nC @ 10 V216 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15.8 pF @ 15 V4380 pF @ 15 V16011 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
120mW(Ta)65.8W(Tc)375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
3-XLLGA(0.62x0.62)PG-HDSOP-16-2PowerPAK® 1212-8S
封装/外壳
3-XFLGA16-PowerSOP 模块PowerPAK® 1212-8S
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3-XLLGA
NTNS3193NZT5G
MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
onsemi
30,680
现货
144,000
工厂
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
8,000 : ¥1.99254
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
224mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.4 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
15.8 pF @ 15 V
-
120mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
3-XLLGA(0.62x0.62)
3-XFLGA
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N10S5N015TATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
2,211
现货
1 : ¥57.96000
剪切带(CT)
1,800 : ¥32.88816
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
300A(Tj)
6V,10V
1.5 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
PowerPAK 1212-8S
SISS67DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
3,546
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.59135
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
60A(Tc)
4.5V,10V
5.5 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
111 nC @ 10 V
±25V
4380 pF @ 15 V
-
65.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
显示
/ 3

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。