单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-CoolMOS™ P7CoolSiC™MDmesh™ K5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
800 V900 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）6A（Tc）7.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V12V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
650毫欧 @ 1.5A，15V900 毫欧 @ 2.2A，10V1.1 欧姆 @ 3A，10V4.9 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 110µA4V @ 300µA5V @ 100µA5.7V @ 1.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8 nC @ 12 V12 nC @ 10 V15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-10V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
350 pF @ 500 V422 pF @ 1000 V500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
45W（Tc）80W（Tc）88W（Tc）110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
供应商器件封装
DPAKPG-TO252-3PG-TO263-7-13
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD80R900P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Infineon Technologies
4,839
现货
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.41192
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
6A（Tc）
10V
900 毫欧 @ 2.2A，10V
3.5V @ 110µA
15 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 500 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TO263-7
IMBF170R650M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Infineon Technologies
1,863
现货
1 : ¥44.42000
剪切带（CT）
1,000 : ¥22.97768
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
7.4A（Tc）
12V，15V
650毫欧 @ 1.5A，15V
5.7V @ 1.7mA
8 nC @ 12 V
+20V，-10V
422 pF @ 1000 V
-
88W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK3P80E,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
1,195
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.64610
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
3A（Ta）
10V
4.9 欧姆 @ 1.5A，10V
4V @ 300µA
12 nC @ 10 V
±30V
500 pF @ 25 V
-
80W（Tc）
150°C
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD6N90K5
MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
STMicroelectronics
7,249
现货
1 : ¥19.13000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.62407
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
900 V
6A（Tc）
10V
1.1 欧姆 @ 3A，10V
5V @ 100µA
-
±30V
-
-
110W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。