单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13.5A（Ta），56A（Tc）18A（Ta），78A（Tc）22A（Ta），76A（Tc）28A（Ta），80A（Tc）44.5A（Ta），90A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.96 毫欧 @ 15A，10V2.3 毫欧 @ 28A，10V2.5 毫欧 @ 20A，10V3.5 毫欧 @ 20A，10V4.1mOhm @ 22A，10V6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 2mA3.2V @ 250µA3.3V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
48 nC @ 4.5 V63 nC @ 10 V90 nC @ 10 V94 nC @ 10 V110 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3142 pF @ 40 V5100 pF @ 15 V5150 pF @ 10 V5300 pF @ 30 V5650 pF @ 30 V5850 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），45.5W（Tc）2.2W（Ta），37.5W（Tc）3W（Ta）3W（Ta），30W（Tc）8.3W（Ta），34.5W（Tc）54.3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HSOPPowerPAK® SO-8TO-220F
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8 Pkg
SIRC16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
755
现货
1 : ¥14.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.05827
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
60A（Tc）
4.5V，10V
0.96 毫欧 @ 15A，10V
2.4V @ 250µA
48 nC @ 4.5 V
+20V，-16V
5150 pF @ 10 V
-
54.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
HSOP8
RS1E220ATTB1
MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Rohm Semiconductor
8,161
现货
1 : ¥21.67000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.77101
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta），76A（Tc）
4.5V，10V
4.1mOhm @ 22A，10V
2.5V @ 2mA
130 nC @ 10 V
±20V
5850 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
HSOP8
RS1E280BNTB
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Rohm Semiconductor
5,007
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.82401
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
28A（Ta），80A（Tc）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 28A，10V
2.5V @ 1mA
94 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 15 V
-
3W（Ta），30W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
TO-220F
AOTF286L
MOSFET N-CH 80V 13.5A/56A TO220
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2,288
现货
1 : ¥11.41000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
13.5A（Ta），56A（Tc）
6V，10V
6 毫欧 @ 20A，10V
3.3V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
3142 pF @ 40 V
-
2.2W（Ta），37.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
TO-220F
AOTF266L
MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
108
现货
1 : ¥13.46000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18A（Ta），78A（Tc）
6V，10V
3.5 毫欧 @ 20A，10V
3.2V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
5650 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），45.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
TO-220F
AOTF66613L
MOSFET N-CH 60V 44.5A/90A TO220F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
1,000 : ¥12.38227
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
44.5A（Ta），90A（Tc）
8V，10V
2.5 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 30 V
-
8.3W（Ta），34.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。