单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta）4.2A（Ta）13A（Tc）25.4A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 50A，10V38 毫欧 @ 3.6A，4.5V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V205 毫欧 @ 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA3.1V @ 345µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.3 nC @ 4.5 V10.2 nC @ 4.5 V58 nC @ 10 V186 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
339 pF @ 10 V760 pF @ 25 V808 pF @ 15 V14000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
940mW1.4W（Ta）2.5W（Ta），125W（Tc）66W（Tc）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1SOT-23-3TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2305UX-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
162,029
现货
2,232,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52630
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2056U-7
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Diodes Incorporated
105,461
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69704
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
339 pF @ 10 V
-
940mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRFR5410TRPBF
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Infineon Technologies
21,627
现货
1 : ¥11.58000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.78090
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13A（Tc）
10V
205 毫欧 @ 7.8A，10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TDSON-8-1
BSC030P03NS3GAUMA1
MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Infineon Technologies
20,308
现货
1 : ¥19.62000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.52063
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25.4A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
3 毫欧 @ 50A，10V
3.1V @ 345µA
186 nC @ 10 V
±25V
14000 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。