单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
PowerTrench®TrenchMOS™U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）12.4A（Ta），60A（Tc）32.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 13A，10V77 毫欧 @ 15A，10V1.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V32.2 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V1870 pF @ 25 V3000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）2.5W（Ta），104W（Tc）230W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）SSMTO-220AB
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-75，SOT-416TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMS86101
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
onsemi
10,135
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.01200
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12.4A（Ta），60A（Tc）
6V，10V
8 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
110,324
现货
1 : ¥1.48000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29446
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
TO-220AB
PHP33NQ20T,127
MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB
Nexperia USA Inc.
0
现货
5,000 : ¥9.06298
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
32.7A（Tc）
10V
77 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
32.2 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。