单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®STripFET™ IITrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）250mA（Ta）6A（Ta）9A（Ta），28A（Tc）11A（Ta），40A（Tc）11A（Ta），61A（Tc）12A（Tc）14A（Ta），42A（Tc）15A（Ta），73A（Tc）17A（Ta），46A（Tc）17A（Tc）21A（Ta），160A（Tc）40A（Tc）62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4V，10V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.9 毫欧 @ 35A，10V5.5 毫欧 @ 40A，10V5.7 毫欧 @ 20A，10V6.5 毫欧 @ 20A，10V8.2 毫欧 @ 35A，10V8.7 毫欧 @ 31A，10V9 毫欧 @ 13A，10V9 毫欧 @ 30A，10V16 毫欧 @ 29A，10V20 毫欧 @ 11A，10V24 毫欧 @ 9A，10V65 毫欧 @ 10A，10V68 毫欧 @ 12A，10V140 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 1mA2.35V @ 25µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.7 nC @ 10 V10.3 nC @ 10 V13 nC @ 4.5 V15 nC @ 5 V15 nC @ 10 V20 nC @ 10 V22.5 nC @ 10 V24 nC @ 5 V27 nC @ 5 V28 nC @ 10 V47 nC @ 10 V85 nC @ 10 V95 nC @ 10 V118 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 25 V50 pF @ 25 V480 pF @ 25 V502 pF @ 30 V951 pF @ 15 V990 pF @ 20 V1077 pF @ 15 V1167 pF @ 25 V1600 pF @ 15 V1640 pF @ 20 V1700 pF @ 15 V1715 pF @ 15 V2060 pF @ 25 V3800 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）350mW（Ta）2.12W（Ta）2.5W（Ta），50W（Tc）3.1W（Ta），43W（Tc）4.1W（Ta），118W（Tc）10W（Ta），83W（Tc）30W（Tc）42W（Tc）45W（Tc）52W（Ta）65W（Tc）70W（Tc）110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKPG-TO252-3-11SOT-23-3SST3TO-220ABTO-252-3TO-252（DPAK）TO-252AATO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
显示
/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-2
DMN10H170SK3-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Diodes Incorporated
133,952
现货
237,500
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.61631
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12A（Tc）
4.5V，10V
140 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
80,855
现货
30,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252-2
DMN6068LK3-13
MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Diodes Incorporated
25,672
现货
732,500
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.49527
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2.12W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRLR024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
62,361
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.66330
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
17A（Tc）
4V，10V
65 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 250µA
15 nC @ 5 V
±16V
480 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FDD6685
MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
onsemi
5,703
现货
15,000
工厂
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.95581
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 11A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 5 V
±25V
1715 pF @ 15 V
-
52W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DPAK_369C
NVD5117PLT4G-VF01
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
onsemi
3,845
现货
1 : ¥23.56000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.61137
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
11A（Ta），61A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 29A，10V
2.5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
4.1W（Ta），118W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SBA120CS-AUR1A1XXX
RK7002BMHZGT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
40,022
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31153
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
2.5V，10V
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252, (D-Pak)
AOD514
MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
14,794
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.39429
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
17A（Ta），46A（Tc）
4.5V，10V
6.5 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
22.5 nC @ 10 V
±20V
951 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD090N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Infineon Technologies
91,944
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.07196
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
40A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 15 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220AB PKG
IRLB8721PBF
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
Infineon Technologies
14,756
现货
1 : ¥8.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
62A（Tc）
4.5V，10V
8.7 毫欧 @ 31A，10V
2.35V @ 25µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1077 pF @ 15 V
-
65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-252
SUD50N03-06AP-E3
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Vishay Siliconix
4,195
现货
1 : ¥8.62000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.13113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
90A（Tc）
4.5V，10V
5.7 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 15 V
-
10W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FDD8451
MOSFET N-CH 40V 9A/28A DPAK
onsemi
0
现货
1 : ¥8.62000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.57097
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9A（Ta），28A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 9A，10V
3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
990 pF @ 20 V
-
30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FDD8647L
MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
onsemi
10,138
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.63943
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
14A（Ta），42A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 13A，10V
3V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±20V
1640 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），43W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FDD8876
MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
onsemi
6,212
现货
1 : ¥11.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.97219
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta），73A（Tc）
4.5V，10V
8.2 毫欧 @ 35A，10V
2.5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FDD8870
MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
onsemi
80
现货
1 : ¥18.23000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.45890
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），160A（Tc）
4.5V，10V
3.9 毫欧 @ 35A，10V
2.5V @ 250µA
118 nC @ 10 V
±20V
5160 pF @ 15 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD100N3LF3
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
5V，10V
5.5 毫欧 @ 40A，10V
2.5V @ 250µA
27 nC @ 5 V
±20V
2060 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。