单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIHEXFET®PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A（Ta）3A（Ta）5A（Tc）6.7A（Ta），14A（Tc）8.8A（Ta）12A（Tc）14A（Ta），35A（Tc）14A（Tc）15A（Ta），50A（Tc）40A（Tc）57A（Tc）70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 20A，10V9.9 毫欧 @ 9.8A，10V11 毫欧 @ 9.8A，10V12 毫欧 @ 11.4A，10V15 毫欧 @ 20A，10V23 毫欧 @ 28A，10V30 毫欧 @ 6A，10V35 毫欧 @ 3A，4.5V42 毫欧 @ 3.8A，10V44 毫欧 @ 6.7A，10V52 毫欧 @ 2.4A，4.5V110 毫欧 @ 12A，10V200 毫欧 @ 8.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V17.1 nC @ 10 V20 nC @ 4.5 V22 nC @ 10 V29 nC @ 10 V47.5 nC @ 5 V55 nC @ 10 V58 nC @ 10 V70 nC @ 10 V91 nC @ 10 V100 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
700 pF @ 10 V705 pF @ 15 V760 pF @ 25 V984.7 pF @ 30 V1312 pF @ 10 V1450 pF @ 25 V1550 pF @ 20 V2550 pF @ 20 V2830 pF @ 15 V3130 pF @ 25 V4234 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1.5W（Ta）1.7W（Ta）1.7W（Tc）2.5W（Ta），62.5W（Tc）3.5W（Ta）40W（Tc）42W（Tc）78W（Tc）79W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICD2PAKDPAKSOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-220ABTO-252-3TO-252（DPAK）TO-252AA
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN339AN
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
onsemi
48,967
现货
120,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.31600
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
35 毫欧 @ 3A，4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
700 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN304P
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
onsemi
29,518
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.48113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.4A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 2.4A，4.5V
1.5V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±8V
1312 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252-2
DMP6180SK3-13
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Diodes Incorporated
5,223
现货
85,000
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.80573
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Tc）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 12A，10V
2.7V @ 250µA
17.1 nC @ 10 V
±20V
984.7 pF @ 30 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
40,565
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.50498
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2550 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
3,878
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.52862
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
70A（Tc）
10V
8 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2830 pF @ 15 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-2
DMP4010SK3Q-13
MOSFET P-CH 40V 15A/50A TO252
Diodes Incorporated
6,526
现货
90,000
工厂
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.09920
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220AB PKG
IRF9530NPBF
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Infineon Technologies
31,570
现货
1 : ¥7.64000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Tc）
10V
200 毫欧 @ 8.4A，10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
SOT-23-3
SI2347DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
196,592
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.74211
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 3.8A，10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
705 pF @ 15 V
-
1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD26P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
STMicroelectronics
49,574
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.96225
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 6A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
40W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FDD4243
MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
onsemi
1,861
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.92683
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
6.7A（Ta），14A（Tc）
4.5V，10V
44 毫欧 @ 6.7A，10V
3V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
1550 pF @ 20 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-2
DMP4015SK3Q-13
MOSFET P-CH 40V 14A/35A TO252
Diodes Incorporated
6,949
现货
427,500
工厂
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.45942
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
14A（Ta），35A（Tc）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
3.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3710STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Infineon Technologies
16,114
现货
1 : ¥15.27000
剪切带（CT）
800 : ¥8.54281
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
57A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 28A，10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
8-SOIC
SI4425BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Vishay Siliconix
2,666
现货
1 : ¥15.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.46522
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.8A（Ta）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 11.4A，10V
3V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。