单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Diotec SemiconductoronsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V60 V100 V400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）900mA（Ta）2A（Tc）5.6A（Tc）5.8A（Ta）8A（Tc）13.5A（Ta），22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.2 毫欧 @ 13.5A，10V25 毫欧 @ 7.9A，4.5V30 毫欧 @ 5.8A，4.5V220 毫欧 @ 900mA，4.5V540 毫欧 @ 3.4A，10V3.6 欧姆 @ 1.2A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 10 V17 nC @ 10 V23 nC @ 4.5 V28 nC @ 4.5 V63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V60 pF @ 25 V109 pF @ 10 V170 pF @ 25 V180 pF @ 25 V1330 pF @ 10 V2000 pF @ 6 V4615 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）400mW（Ta）1.6W（Ta）2.5W（Ta），69W（Tc）5W（Tc）36W（Tc）43W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOP8-PQFN（5x6）SOT-23-3SuperSOT™-6TO-220ABTO-92TO-92-3
封装/外壳
8-PowerTDFNSOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-220-3TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV305N
MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
onsemi
39,552
现货
147,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87716
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
900mA（Ta）
2.5V，4.5V
220 毫欧 @ 900mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±12V
109 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
43,113
现货
40,000
工厂
1 : ¥4.02000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
SG6858TZ
FDC608PZ
MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
onsemi
14,541
现货
9,000
工厂
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.67307
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.8A（Ta）
2.5V，4.5V
30 毫欧 @ 5.8A，4.5V
1.5V @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
±12V
1330 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
BC327-16
2N7000
MOSFET TO-92 60V 0.2A
Diotec Semiconductor
130,903
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.43796
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-220AB
IRF710PBF
MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Vishay Siliconix
6,471
现货
1 : ¥6.16000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
2A（Tc）
10V
3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
45,890
现货
1 : ¥6.24000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.6A（Tc）
10V
540 毫欧 @ 3.4A，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
Pkg 5540
SQ3461EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
5,940
现货
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.40210
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
8A（Tc）
1.8V，4.5V
25 毫欧 @ 7.9A，4.5V
1V @ 250µA
28 nC @ 4.5 V
±8V
2000 pF @ 6 V
-
5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
8-PQFN
FDMS86520L
MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
onsemi
4,740
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.41070
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
13.5A（Ta），22A（Tc）
4.5V，10V
8.2 毫欧 @ 13.5A，10V
3V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
4615 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。