单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产最后售卖在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Ta），73A（Tc）17A（Ta），94A（Tc）90A（Tc）160A（Tc）161A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 25A，10V3.1 毫欧 @ 30A，10V3.3 毫欧 @ 15A，10V5.7 毫欧 @ 20A，10V5.7 毫欧 @ 35A，10V8.2 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.35V @ 100µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
47 nC @ 10 V50 nC @ 4.5 V51 nC @ 10 V59 nC @ 4.5 V60 nC @ 10 V95 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1700 pF @ 15 V2525 pF @ 15 V3800 pF @ 15 V4380 pF @ 15 V4880 pF @ 15 V5300 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
10W（Ta），83W（Tc）70W（Tc）80W（Tc）94W（Tc）135W（Tc）140W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO252-3-11TO-252AATO-252AA (DPAK)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252AA
FDD8896
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
onsemi
34,075
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.40008
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
17A（Ta），94A（Tc）
4.5V，10V
5.7 毫欧 @ 35A，10V
2.5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2525 pF @ 15 V
-
80W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA (DPAK)
IRLR8743TRPBF
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Infineon Technologies
14,068
现货
1 : ¥10.84000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.48436
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
160A（Tc）
4.5V，10V
3.1 毫欧 @ 25A，10V
2.35V @ 100µA
59 nC @ 4.5 V
±20V
4880 pF @ 15 V
-
135W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD031N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Infineon Technologies
4,158
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.14254
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
90A（Tc）
4.5V，10V
3.1 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 15 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRLR7843TRPBF
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Infineon Technologies
30,151
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.00228
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
161A（Tc）
4.5V，10V
3.3 毫欧 @ 15A，10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
4380 pF @ 15 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
SUD50N03-06AP-E3
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Vishay Siliconix
4,195
现货
1 : ¥8.62000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.13113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
90A（Tc）
4.5V，10V
5.7 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 15 V
-
10W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FDD8876
MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
onsemi
6,222
现货
1 : ¥11.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.97219
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta），73A（Tc）
4.5V，10V
8.2 毫欧 @ 35A，10V
2.5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。