单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
71 毫欧 @ 3A，10V2.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 100µA2.3V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 25 V280 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1W（Ta）
供应商器件封装
SOT-23FSST3
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
153,558
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63495
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
4V，10V
71 毫欧 @ 3A，10V
2V @ 100µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SBA120CS-AUR1A1XXX
RK7002BMHZGT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
40,022
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31153
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
2.5V，10V
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。