单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
210mA（Ta）3.6A（Ta）15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.9 毫欧 @ 4A，10V24 毫欧 @ 5A，4.5V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 1mA2.1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 10 V7.5 nC @ 4.5 V17.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
38 pF @ 25 V1130 pF @ 15 V1540 pF @ 16 V
功率耗散（最大值）
340mW（Ta）470mW（Ta）1.25W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TA）
供应商器件封装
6-UDFNB（2x2）SOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR3C21NZT1G
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
onsemi
10,482
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15457
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.6A（Ta）
1.8V，4.5V
24 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
17.8 nC @ 4.5 V
±8V
1540 pF @ 16 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS138W
BSS138W
MOSFET N-CH 50V 210MA SC70
onsemi
108,256
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.65944
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
210mA（Ta）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 1mA
1.1 nC @ 10 V
±20V
38 pF @ 25 V
-
340mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
43,934
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.33130
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta）
4.5V，10V
8.9 毫欧 @ 4A，10V
2.1V @ 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1130 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TA）
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。