单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™-5TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A(Ta),103A(Tc)40A(Tc)141A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.5 毫欧 @ 50A,10V4.3 毫欧 @ 10A,10V7.4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 10µA2.5V @ 250µA3.5V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17 nC @ 10 V23 nC @ 10 V71 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
920 pF @ 25 V1600 pF @ 25 V3866 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
3.2W(Ta),69W(Tc)34W(Tc)113W(Tc)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
8-WDFN(3.3x3.3)PG-TSDSON-8PowerPAK® 1212-8SLW
封装/外壳
8-PowerVDFN8-PowerWDFNPowerPAK® 1212-8SLW
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
19,717
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.64628
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
7.4 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 10µA
17 nC @ 10 V
±16V
920 pF @ 25 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
8-WDFN
NVTFS003N04CTAG
MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
onsemi
3,000
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.30119
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
22A(Ta),103A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 50A,10V
3.5V @ 60µA
23 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
3.2W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
PowerPAK_1212-8SLW_Top
SQS160ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Vishay Siliconix
4,635
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.36498
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
141A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
3866 pF @ 25 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerPAK® 1212-8SLW
PowerPAK® 1212-8SLW
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。