单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™TrenchFET®π-MOSV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
50 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）200mA（Ta）300mA（Ta）2A（Ta）13A（Ta），84A（Tc）39A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3.3V，10V4.5V，10V5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 20A，10V5，9毫欧 @ 23A，10V300 毫欧 @ 1A，10V2 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V6 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA2V @ 1mA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 1mA4V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V31 nC @ 10 V90 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 25 V30 pF @ 25 V50 pF @ 25 V150 pF @ 10 V2040 pF @ 40 V3660 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）350mW（Ta）1W（Ta）2，7W（Ta），100W（Tc）7.5W（Ta），142W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN（5x6）8-PQFN（3.3x3.3）SOT-23-3（TO-236）SOT-23F
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerWDFNSOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
437,570
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
266,013
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49111
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 100mA，10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
352,964
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
76,317
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.33130
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
3.3V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
-
±20V
150 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
8-WDFN
NTTFS5D9N08HTWG
MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
onsemi
3,280
现货
1 : ¥15.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.12866
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
13A（Ta），84A（Tc）
6V，10V
5，9毫欧 @ 23A，10V
4V @ 120µA
31 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 40 V
-
2，7W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-DFN
AONS62614T
MOSFET N-CH 60V 39A/100A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.55790
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
39A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
2.5 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
3660 pF @ 30 V
-
7.5W（Ta），142W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。