单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®QFET®TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V100 V150 V200 V400 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）670mA（Tc）3.7A（Ta）3.7A（Tc）4.5A（Tc）5.4A（Tc）10A（Tc）37A（Tc）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 15A，4.5V47.5 毫欧 @ 10A，10V65 毫欧 @ 3.7A，4.5V180 毫欧 @ 5A，10V1 欧姆 @ 2.25A，10V1.4 欧姆 @ 1.85A，10V2.3 欧姆 @ 2.7A，10V2.7 欧姆 @ 335mA，10V10 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA2V @ 250µA2.4V @ 1mA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8 nC @ 10 V12 nC @ 5 V13 nC @ 10 V20 nC @ 10 V40 nC @ 10 V48 nC @ 10 V84 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 25 V250 pF @ 25 V430 pF @ 25 V520 pF @ 25 V625 pF @ 25 V633 pF @ 10 V1550 pF @ 25 V1805 pF @ 75 V5760 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）1.3W（Ta）2.5W（Ta），40W（Tc）2.5W（Ta），45W（Tc）2.5W（Ta），48W（Tc）2.5W（Tc）3.13W（Ta），158W（Tc）5W（Ta），48W（Tc）104W（Tc）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PowerPAK® SO-8SOT-223-4SOT-23-3TO-252AATO-263（D2PAK）
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
152,390
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.03881
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.7A（Ta）
2.5V，4.5V
65 毫欧 @ 3.7A，4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
633 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZVN3310FTA
MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3
Diodes Incorporated
7,347
现货
978,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.86650
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100mA（Ta）
10V
10 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252AA
FQD13N10LTM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
onsemi
6,669
现货
20,000
工厂
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.20013
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
10A（Tc）
5V，10V
180 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±20V
520 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FQD5P20TM
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
onsemi
2,365
现货
2,500
工厂
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.88900
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.7A（Tc）
10V
1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
430 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FQD6N40CTM
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
onsemi
800
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.56587
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
4.5A（Tc）
10V
1 欧姆 @ 2.25A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±30V
625 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK SO-8
SI7858BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,070
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.43287
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
40A（Tc）
1.8V，4.5V
2.5 毫欧 @ 15A，4.5V
1V @ 250µA
84 nC @ 4.5 V
±8V
5760 pF @ 6 V
-
5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263
FQB5N90TM
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
onsemi
1,201
现货
62,400
工厂
1 : ¥24.05000
剪切带（CT）
800 : ¥14.53135
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
900 V
5.4A（Tc）
10V
2.3 欧姆 @ 2.7A，10V
5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
1550 pF @ 25 V
-
3.13W（Ta），158W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-223-4
FQT3P20TF
MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
onsemi
211
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.59479
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
670mA（Tc）
10V
2.7 欧姆 @ 335mA，10V
5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±30V
250 pF @ 25 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
PowerPAK SO-8
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.80636
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
37A（Tc）
10V
47.5 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1805 pF @ 75 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。