单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Tc）18A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21 毫欧 @ 10A，10V290 毫欧 @ 2A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.4 nC @ 4.5 V21 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
355 pF @ 25 V1358 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
3.3W（Tc）62.5W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SC-70-6
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363PowerPAK® 1212-8
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-6
SQ1421EDH-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Vishay Siliconix
8,853
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.42120
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.6A（Tc）
4.5V，10V
290 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±20V
355 pF @ 25 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
PowerPAK 1212-8
SQSA80ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
10,621
现货
1 : ¥8.70000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.61511
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
18A（Tc）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1358 pF @ 40 V
-
62.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。