单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemi
系列
PowerTrench®SDMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.6A（Ta），51A（Tc）12.4A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 13A，10V25 毫欧 @ 20A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2200 pF @ 50 V3000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），104W（Tc）2.5W（Ta），150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMS86101
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
onsemi
10,119
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.01172
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12.4A（Ta），60A（Tc）
6V，10V
8 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
AOB414
MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
550
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
800 : ¥5.57888
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.6A（Ta），51A（Tc）
7V，10V
25 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
2200 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。