单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
OptiMOS™-5STripFET™ III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180A（Tc）270A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 80A，10V1.7 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.1V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
150 nC @ 10 V195 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
840 pF @ 50 V7500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
300W（Tc）313W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
10-PowerSOPG-TO263-7
封装/外壳
PowerSO-10 裸露底部焊盘TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-7, D2Pak
IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
652
现货
1 : ¥62.89000
剪切带（CT）
1,000 : ¥35.67997
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
10V
1.7 毫欧 @ 100A，10V
4.1V @ 270µA
195 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 50 V
-
313W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
PowerSO-10
STV270N4F3
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
STMicroelectronics
1,120
现货
1 : ¥45.32000
剪切带（CT）
600 : ¥27.36328
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
10V
1.5 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。