单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Panjit International Inc.Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V45 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.1A（Ta）6A（Ta）10A（Ta）18A（Tc）20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V1.8V，4.5V4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 13A，10V28 毫欧 @ 20A，10V42 毫欧 @ 5A，10V133 毫欧 @ 5A，10V370 毫欧 @ 1.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA1.3V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.6 nC @ 4.5 V8.2 nC @ 4.5 V12 nC @ 5 V18 nC @ 10 V50 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+6V， -12V±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
125 pF @ 15 V560 pF @ 15 V700 pF @ 25 V950 pF @ 10 V3630 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）1.25W（Ta）6.8W（Tc）20W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICSOT-23SOT-23FTO-252
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
12,896
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.05261
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+6V， -12V
560 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
8-SOIC
SQ4425EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Vishay Siliconix
34,897
现货
1 : ¥15.27000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.87830
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Tc）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 13A，10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
3630 pF @ 25 V
-
6.8W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
RB098BM-40FNSTL
RD3H200SNFRATL
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Rohm Semiconductor
1,537
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.65748
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
20A（Ta）
4V，10V
28 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 1mA
12 nC @ 5 V
±20V
950 pF @ 10 V
-
20W（Tc）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RB098BM-40FNSTL
RD3P100SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Rohm Semiconductor
2,634
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.31966
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
10A（Ta）
4V，10V
133 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 1mA
18 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
20W（Tc）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
37,515
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43980
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.1A（Ta）
1.8V，4.5V
370 毫欧 @ 1.1A，4.5V
1.3V @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
±8V
125 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。