单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
EPConsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
50 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）32A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.75V，5V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 20A，5V3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA2.5V @ 6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V17.7 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V1790 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3模具
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138L
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
113,770
现货
777,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48378
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
2.75V，5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
2.4 nC @ 10 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
35,254
现货
1 : ¥52.30000
剪切带（CT）
2,500 : ¥27.79653
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
32A（Ta）
5V
8 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 6mA
17.7 nC @ 5 V
+6V，-4V
1790 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。