单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）5.5A（Ta）9A（Tc）13.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.1 毫欧 @ 13A，10V26 毫欧 @ 6.2A，10V32 毫欧 @ 7A，10V4 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.6 nC @ 10 V14 nC @ 4.5 V21 nC @ 4.5 V38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
187.3 pF @ 25 V1006 pF @ 15 V1010 pF @ 15 V1460 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）1.6W（Ta）2.5W（Ta）2.5W（Ta），4.2W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）
供应商器件封装
8-SO8-SOICSOT-23-3SuperSOT™-6
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
SI4431CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Vishay Siliconix
39,962
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.29231
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9A（Tc）
4.5V，10V
32 毫欧 @ 7A，10V
2.5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1006 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），4.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT-23-3
DMN30H4D0L-13
MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Diodes Incorporated
5,345
现货
180,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
10,000 : ¥1.23943
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
250mA（Ta）
2.7V，10V
4 欧姆 @ 300mA，10V
3V @ 250µA
7.6 nC @ 10 V
±20V
187.3 pF @ 25 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SG6858TZ
FDC645N
MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
onsemi
6,000
现货
3,000
工厂
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.19776
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.5A（Ta）
4.5V，10V
26 毫欧 @ 6.2A，10V
2V @ 250µA
21 nC @ 4.5 V
±12V
1460 pF @ 15 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
IRF7821TRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Infineon Technologies
11,807
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.52117
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.6A（Ta）
4.5V，10V
9.1 毫欧 @ 13A，10V
1V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1010 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 155°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。