单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIX-HU-MOSVIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）2A（Ta）22A（Ta），100A（Tc）400A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.3mOhm @ 200A，10V4 毫欧 @ 50A，10V300 毫欧 @ 1A，10V1.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2V @ 80µA2.1V @ 250µA3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 10 V34 nC @ 10 V295 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V330 pF @ 10 V2200 pF @ 25 V26910 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）1W（Ta）3.7W（Ta），79W（Tc）750W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C175°C
供应商器件封装
L-TOGL™LFPAK4（5x6）SOT-23FSSM
封装/外壳
8-PowerBSFNSC-75，SOT-416SOT-1023，4-LFPAKSOT-23-3 扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,053
现货
1 : ¥58.70000
剪切带（CT）
1,500 : ¥25.03991
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
400A（Ta）
6V，10V
0.3mOhm @ 200A，10V
3V @ 1mA
295 nC @ 10 V
±20V
26910 pF @ 10 V
-
750W（Tc）
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
L-TOGL™
8-PowerBSFN
SC-75, SOT-416
SSM3K72KFS,LXHF
AUTO AEC-Q LOW RDSON SS MOS N-CH
Toshiba Semiconductor and Storage
5,490
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50559
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
SOT 1023
NVMYS4D1N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
onsemi
2,428
现货
15,000
工厂
1 : ¥12.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.99824
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
22A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 80µA
34 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 25 V
-
3.7W（Ta），79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK4（5x6）
SOT-1023，4-LFPAK
0
现货
查看交期
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10934
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V，-20V
330 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。