单 FET,MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ CFD7ACoolMOS™ P7TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
漏源电压(Vdss)
100 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80mA(Ta)2.3A(Tc)60A(Tc)61A(Tc)63A(Tc)76A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
31 毫欧 @ 32.6A,10V35 毫欧 @ 35.8A,10V37 毫欧 @ 29.5A,10V45 毫欧 @ 22.5A,10V45 毫欧 @ 44A,10V234 毫欧 @ 1.5A,10V100 欧姆 @ 60mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.9V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 3mA4V @ 1.08mA4V @ 1.48mA4.5V @ 1.63mA4.5V @ 1.79mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.7 nC @ 10 V10.4 nC @ 10 V90 nC @ 10 V121 nC @ 10 V141 nC @ 10 V145 nC @ 10 V190 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
25 pF @ 25 V190 pF @ 50 V3891 pF @ 400 V5243 pF @ 400 V5623 pF @ 400 V6800 pF @ 100 V7149 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
1.1W(Ta)1.25W(Ta),2.5W(Tc)201W(Tc)255W(Tc)278W(Tc)305W(Tc)431W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3PG-TO247-3-41SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果

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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IPW60R045P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Infineon Technologies
2,344
现货
1 : ¥55.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
61A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 22.5A,10V
4V @ 1.08mA
90 nC @ 10 V
±20V
3891 pF @ 400 V
-
201W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
PG-TO247-3
IPW60R037P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Infineon Technologies
2,052
现货
1 : ¥71.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
76A(Tc)
10V
37 毫欧 @ 29.5A,10V
4V @ 1.48mA
121 nC @ 10 V
±20V
5243 pF @ 400 V
-
255W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
SOT-23-3
DMN60H080DS-7
MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Diodes Incorporated
54,091
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66535
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
80mA(Ta)
4.5V,10V
100 欧姆 @ 60mA,10V
3V @ 250µA
1.7 nC @ 10 V
±20V
25 pF @ 25 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2324DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
46,190
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.43672
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.3A(Tc)
10V
234 毫欧 @ 1.5A,10V
2.9V @ 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 50 V
-
1.25W(Ta),2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-247-3 AC EP
IPW65R035CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Infineon Technologies
1,201
现货
1 : ¥62.72000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
63A(Tc)
10V
35 毫欧 @ 35.8A,10V
4.5V @ 1.79mA
145 nC @ 10 V
±20V
7149 pF @ 400 V
-
305W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R031CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Infineon Technologies
240
现货
1 : ¥88.42000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
63A(Tc)
10V
31 毫欧 @ 32.6A,10V
4.5V @ 1.63mA
141 nC @ 10 V
±20V
5623 pF @ 400 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R045CPAFKSA1
MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3
Infineon Technologies
323
现货
1 : ¥162.23000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
60A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 44A,10V
3.5V @ 3mA
190 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 100 V
-
431W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
显示
/ 7

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。