单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
EPCQorvo
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
100 V750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A（Ta）106A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 25A，5V11.5 毫欧 @ 70A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 7mA5.5V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17.8 nC @ 5 V75 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2703 pF @ 50 V3340 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
375W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAK-7模具
封装/外壳
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2065
EPC2088
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
EPC
3,637
现货
1 : ¥34.07000
剪切带（CT）
1,000 : ¥17.60790
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
-
100 V
60A（Ta）
5V
3.2 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 7mA
17.8 nC @ 5 V
+6V，-4V
2703 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
UF3C120080B7S
UJ4SC075009B7S
750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Qorvo
1,038
现货
1 : ¥313.70000
剪切带（CT）
800 : ¥201.14021
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
750 V
106A（Tc）
12V
11.5 毫欧 @ 70A，12V
5.5V @ 10mA
75 nC @ 15 V
±20V
3340 pF @ 400 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。