单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
650 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
62A（Tc）104A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 74A，18V50 毫欧 @ 25A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.3V @ 8mA4.63V @ 37mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
105 nC @ 18 V337 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+22V，-10V+22V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1890 pF @ 325 V6313 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
242W（Tc）454W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D2PAK-7
NTBG014N120M3P
SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
onsemi
1,056
现货
1 : ¥238.08000
剪切带（CT）
800 : ¥157.90544
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
104A（Tc）
15V，18V
20 毫欧 @ 74A，18V
4.63V @ 37mA
337 nC @ 18 V
+22V，-10V
6313 pF @ 800 V
-
454W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
D2PAK-7
NTBG045N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
onsemi
416
现货
24,000
工厂
1 : ¥95.97000
剪切带（CT）
800 : ¥66.24091
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
62A（Tc）
15V，18V
50 毫欧 @ 25A，18V
4.3V @ 8mA
105 nC @ 18 V
+22V，-8V
1890 pF @ 325 V
-
242W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。