单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
12 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A（Ta）4.6A（Ta）5.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 5A，4.5V46 毫欧 @ 1A，4.5V65 毫欧 @ 5.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.4V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V26 nC @ 4.5 V33 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V±12V±20V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1.47W（Ta）1.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
4-MicrofootPowerPAK® 1212-8UFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线4-XFBGA，CSPBGAPowerPAK® 1212-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4-Micro Foot
SI8409DB-T1-E1
MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
7,173
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.62176
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.6A（Ta）
2.5V，4.5V
46 毫欧 @ 1A，4.5V
1.4V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.47W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA，CSPBGA
PowerPAK 1212-8
SI7415DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
33,097
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.69256
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 5.7A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
4,279
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46124
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
5.4A（Ta）
1.2V，4.5V
17 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 1mA
33 nC @ 4.5 V
±6V
2700 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。