单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
SuperFET® IIIUniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
200 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
125 毫欧 @ 8A，10V260 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1010 pF @ 400 V1575 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
89W（Tc）90W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252AA
FDD18N20LZ
MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
onsemi
16,423
现货
1 : ¥14.70000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.61694
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
16A（Tc）
5V，10V
125 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1575 pF @ 25 V
-
89W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FCD260N65S3
MOSFET N-CH 650V 12A TO252
onsemi
2,420
现货
1 : ¥21.51000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.68278
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
12A（Tc）
10V
260 毫欧 @ 6A，10V
4.5V @ 1.2mA
24 nC @ 10 V
±30V
1010 pF @ 400 V
-
90W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。