单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedEPCMicrochip TechnologyVishay Siliconix
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
50 V100 V200 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）160mA（Tj）11A（Tc）29A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 16A，5V500 毫欧 @ 6.6A，10V10 欧姆 @ 100mA，5V30 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.5V @ 4mA3.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.4 nC @ 5 V44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V190 pF @ 25 V851 pF @ 50 V1200 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）1.6W（Ta）3W（Ta），125W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3TO-243AA（SOT-89）TO-263（D2PAK）模具
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-243AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
445,319
现货
13,821,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32715
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
C04-029 MB
VP2450N8-G
MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
Microchip Technology
4,772
现货
1 : ¥17.49000
剪切带（CT）
2,000 : ¥13.29941
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
160mA（Tj）
4.5V，10V
30 欧姆 @ 100mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
190 pF @ 25 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
TO-263AB
IRF9640STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Vishay Siliconix
2,842
现货
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
800 : ¥10.60013
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
11A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
3W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
0
现货
查看交期
1 : ¥19.78000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.93254
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
29A（Ta）
5V
6 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 4mA
7.4 nC @ 5 V
+6V，-4V
851 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。