单 FET,MOSFET

结果 : 17
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedonsemiSTMicroelectronicsUMWVishay Siliconix
系列
-QFET®STripFET™STripFET™ IISuperMESH™TrenchFET®UMW
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V50 V60 V200 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
380mA(Ta)2.1A(Tc)4A(Ta)5A(Tc)6A(Ta)9A(Ta)11A(Tc)12A(Ta)12A(Tc)13A(Ta),40A(Tc)14A(Tc)18.3A(Tc)24A(Tc)90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V4.5V,10V5V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 毫欧 @ 30A,10V18 毫欧 @ 20A,10V44 毫欧 @ 4.3A,10V60 毫欧 @ 10A,10V68 毫欧 @ 12A,10V70 毫欧 @ 8A,10V100 毫欧 @ 14A,5V100 毫欧 @ 6A,10V104 毫欧 @ 6A,5V110 毫欧 @ 12A,10V115 毫欧 @ 5.5A,10V150 毫欧 @ 4.5A,10V170 毫欧 @ 4.5A,5V700 毫欧 @ 2.5A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.3V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.5V @ 50µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.3 nC @ 4.5 V6 nC @ 5 V6.4 nC @ 5 V7.5 nC @ 5 V10 nC @ 5 V10.3 nC @ 10 V12 nC @ 10 V12.2 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V17.1 nC @ 10 V20 nC @ 5 V27 nC @ 10 V40 nC @ 10 V41 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±12V±15V±16V±18V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V242 pF @ 25 V275 pF @ 25 V280 pF @ 25 V315 pF @ 25 V350 pF @ 25 V370 pF @ 25 V440 pF @ 25 V485 pF @ 25 V502 pF @ 30 V670 pF @ 25 V984.7 pF @ 30 V1200 pF @ 15 V1710 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
370mW(Ta)1.4W(Ta)1.5W(Ta),28.8W(Tj)1.5W(Ta),48W(Tj)1.7W(Ta)2.12W(Ta)2.3W(Ta),38.5W(Tc)2.5W(Ta),28W(Tc)6.2W(Ta),60W(Tc)28.5W(Ta)30W(Tc)33W(Tc)40W(Tc)42.8W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKIPAKSOT-23-3TO-252-3TO-252(DPAK)TO-252AA
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果

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/ 17
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
332,891
现货
56,901,000
工厂
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.28983
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
380mA(Ta)
5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AO3401A
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
746,776
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80150
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
2.5V,10V
44 毫欧 @ 4.3A,10V
1.3V @ 250µA
12.2 nC @ 4.5 V
±12V
1200 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
TO-252-2
DMP6180SK3-13
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Diodes Incorporated
5,208
现货
82,500
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.80573
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
14A(Tc)
4.5V,10V
110 毫欧 @ 12A,10V
2.7V @ 250µA
17.1 nC @ 10 V
±20V
984.7 pF @ 30 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252, (D-Pak)
AOD442G
MOSFET N-CH 60V 13A/40A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
95,002
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.29231
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 20A,10V
2.7V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 30 V
-
6.2W(Ta),60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SUD19P06-60-GE3
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Vishay Siliconix
63,437
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.48917
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
18.3A(Tc)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 25 V
-
2.3W(Ta),38.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD5N20LT4
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
STMicroelectronics
11,902
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.89527
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
5A(Tc)
5V
700 毫欧 @ 2.5A,5V
2.5V @ 50µA
6 nC @ 5 V
±20V
242 pF @ 25 V
-
33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
RFD14N05LSM
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
onsemi
36,109
现货
19,800
工厂
1 : ¥7.96000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
14A(Tc)
5V
100 毫欧 @ 14A,5V
2V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±10V
670 pF @ 25 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK_369C
NTD3055L104T4G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
onsemi
5,891
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.48382
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Ta)
5V
104 毫欧 @ 6A,5V
2V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±15V
440 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),48W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-2
DMN6068LK3-13
MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Diodes Incorporated
25,664
现货
732,500
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.49527
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6A(Ta)
4.5V,10V
68 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2.12W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FQD13N06LTM
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
onsemi
6,012
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.22259
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
11A(Tc)
5V,10V
115 毫欧 @ 5.5A,10V
2.5V @ 250µA
6.4 nC @ 5 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-251-3 Long Leads IPak
STD12NF06L-1
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
STMicroelectronics
1,179
现货
1 : ¥6.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Tc)
5V,10V
100 毫欧 @ 6A,10V
2V @ 250µA
10 nC @ 5 V
±16V
350 pF @ 25 V
-
42.8W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD16NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STMicroelectronics
20,890
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.01124
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Tc)
5V,10V
70 毫欧 @ 8A,10V
1V @ 250µA
7.5 nC @ 5 V
±18V
370 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD12NF06T4
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
STMicroelectronics
8,802
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.02146
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD2NK90ZT4
MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
STMicroelectronics
3,129
现货
1 : ¥14.78000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.66436
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
2.1A(Tc)
10V
6.5 欧姆 @ 1.05A,10V
4.5V @ 50µA
27 nC @ 10 V
±30V
485 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK_369C
NTD3055-150T4G
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
onsemi
4,930
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.86584
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
9A(Ta)
10V
150 毫欧 @ 4.5A,10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),28.8W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
30N03A
30N03A
TO-252 MOSFETS ROHS
UMW
1,694
现货
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.47990
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
90A(Tc)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1963 pF @ 15 V
-
105W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK
NVD3055L170T4G-VF01
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
onsemi
0
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.49197
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
9A(Ta)
5V
170 毫欧 @ 4.5A,5V
2V @ 250µA
10 nC @ 5 V
±15V
275 pF @ 25 V
-
28.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 17

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。