单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Ta）8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19.5 毫欧 @ 5A，10V34 毫欧 @ 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V33 nC @ 10 V
功率耗散（最大值）
1.9W（Ta）2W（Ta），4.1W（Tc）
供应商器件封装
6-TSOPPowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Pkg 5540
SI3410DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
7,849
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.48136
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Tc）
4.5V，10V
19.5 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1295 pF @ 15 V
-
2W（Ta），4.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
PowerPAK SO-8
SI7454DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,000
现货
1 : ¥18.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.38144
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5A（Ta）
6V，10V
34 毫欧 @ 7.8A，10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。