单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）115mA（Tc）200mA（Ta）4.6A（Ta）14A（Tc）120A（Tc）192A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 115A，10V6 毫欧 @ 75A，10V40 毫欧 @ 4.6A，4.5V200 毫欧 @ 8.4A，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.5V @ 1mA2.5V @ 250µA4V @ 150µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.1 nC @ 4.5 V58 nC @ 10 V170 nC @ 10 V255 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V760 pF @ 25 V820 pF @ 15 V6860 pF @ 50 V9500 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）225mW（Ta）1.25W（Ta）79W（Tc）250W（Tc）441W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKPG-TO263-3SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-26TO-220AB
封装/外壳
SOT-23-6TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
686,127
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37017
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
352,709
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52957
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
74,413
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98621
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-220AB PKG
IRF9530NPBF
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Infineon Technologies
31,496
现货
1 : ¥7.63000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Tc）
10V
200 毫欧 @ 8.4A，10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF100S201
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Infineon Technologies
1,543
现货
1 : ¥28.90000
剪切带（CT）
800 : ¥17.45485
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
192A（Tc）
10V
4.2 毫欧 @ 115A，10V
4V @ 250µA
255 nC @ 10 V
±20V
9500 pF @ 50 V
-
441W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4310ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
4,416
现货
1 : ¥26.27000
剪切带（CT）
800 : ¥15.83891
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
10V
6 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 150µA
170 nC @ 10 V
±20V
6860 pF @ 50 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT 26
DMP2066LDM-7
MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Diodes Incorporated
4,641
现货
54,000
工厂
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.27094
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.6A（Ta）
2.5V，4.5V
40 毫欧 @ 4.6A，4.5V
1.2V @ 250µA
10.1 nC @ 4.5 V
±12V
820 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。