单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）190mA（Ta），300mA（Tc）3.8A（Ta）4.1A（Tc）100A（Tc）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.8 毫欧 @ 25A，10V6.9 毫欧 @ 30A，10V40 毫欧 @ 3.8A，10V100 毫欧 @ 3.2A，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V8 欧姆 @ 150mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 5 V11 nC @ 10 V48 nC @ 10 V73.1 nC @ 10 V345 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 10 V73 pF @ 25 V350 pF @ 30 V870 pF @ 25 V5520 pF @ 25 V11400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）265mW（Ta），1.33W（Tc）1W（Ta）2W（Ta），3.3W（Tc）3.75W（Ta），375W（Tc）238W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPLFPAK56，Power-SO8SOT-223SOT-23-3（TO-236）TO-236ABTO-263（D2PAK）
封装/外壳
SC-100，SOT-669SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
76,277
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.20992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta），300mA（Tc）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
108,355
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06410
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 150mA，10V
2.5V @ 250µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
73 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223-3L
IRLL2705TRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Infineon Technologies
27,822
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.94394
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
3.8A（Ta）
4V，10V
40 毫欧 @ 3.8A，10V
2V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±16V
870 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
64,059
现货
1 : ¥30.13000
剪切带（CT）
800 : ¥18.18246
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
6.9 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
345 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
Pkg 5540
SI3458BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Vishay Siliconix
33,467
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.71766
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.1A（Tc）
4.5V，10V
100 毫欧 @ 3.2A，10V
3V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 30 V
-
2W（Ta），3.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y4R8-60EX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,119
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.17170
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
10V
4.8 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
73.1 nC @ 10 V
±20V
5520 pF @ 25 V
-
238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。