单 FET，MOSFET

结果 : 4
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）280mA（Ta）450mA（Ta）600mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 欧姆 @ 1.5A，10V2 欧姆 @ 1A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V9 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.4V @ 1mA3V @ 1mA3.5V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
75 pF @ 18 V100 pF @ 18 V100 pF @ 25 V200 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）750mW（Ta）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92
ZVN2106A
MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
Diodes Incorporated
2,489
现货
1 : ¥5.66000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
450mA（Ta）
10V
2 欧姆 @ 1A，10V
2.4V @ 1mA
±20V
75 pF @ 18 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
ZVN4206A
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Diodes Incorporated
2,449
现货
1 : ¥5.99000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
600mA（Ta）
5V，10V
1 欧姆 @ 1.5A，10V
3V @ 1mA
±20V
100 pF @ 25 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
ZVP2106A
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
1 : ¥6.98000
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
280mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 1mA
±20V
100 pF @ 18 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
ZVP4424A
MOSFET P-CH 240V 200MA TO92-3
Diodes Incorporated
0
现货
12,000
工厂
查看交期
1 : ¥9.28000
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
200mA（Ta）
3.5V，10V
9 欧姆 @ 200mA，10V
2V @ 1mA
±40V
200 pF @ 25 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。