单 FET，MOSFET

结果 : 7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
40 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）4A（Ta）8.5A（Ta）10A（Ta）18A（Ta）36A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 25A，5V13.5 毫欧 @ 11A，5V16 毫欧 @ 10A，5V16 毫欧 @ 11A，5V42 毫欧 @ 7A，5V110 毫欧 @ 500mA，5V550 毫欧 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1.5mA2.5V @ 250µA2.5V @ 2mA2.5V @ 3mA2.5V @ 5mA2.5V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.12 nC @ 5 V0.45 nC @ 5 V2.5 nC @ 5 V2.9 nC @ 5 V4 nC @ 5 V4.5 nC @ 5 V9 nC @ 5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 50 V52 pF @ 20 V288 pF @ 100 V300 pF @ 20 V407 pF @ 50 V420 pF @ 50 V900 pF @ 50 V
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环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
28,759
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.64058
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
1.7A（Ta）
5V
550 毫欧 @ 100mA，5V
2.5V @ 80µA
0.12 nC @ 5 V
+6V，-4V
14 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2014C
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
EPC
49,018
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.43286
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
40 V
10A（Ta）
5V
16 毫欧 @ 10A，5V
2.5V @ 2mA
2.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
300 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
148,555
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.87799
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
18A（Ta）
5V
13.5 毫欧 @ 11A，5V
2.5V @ 3mA
4 nC @ 5 V
+6V，-4V
407 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2016C
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
99,720
现货
1 : ¥21.26000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.59457
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
18A（Ta）
5V
16 毫欧 @ 11A，5V
2.5V @ 3mA
4.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
420 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
90,875
现货
1 : ¥22.41000
剪切带（CT）
1,000 : ¥14.88027
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
8.5A（Ta）
5V
42 毫欧 @ 7A，5V
2.5V @ 1.5mA
2.9 nC @ 5 V
+6V，-4V
288 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC8004
GANFET N-CH 40V 4A DIE
EPC
7,028
现货
1 : ¥26.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥12.72891
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
40 V
4A（Ta）
5V
110 毫欧 @ 500mA，5V
2.5V @ 250µA
0.45 nC @ 5 V
+6V，-4V
52 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
93,347
现货
1 : ¥40.88000
剪切带（CT）
2,500 : ¥19.89558
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
36A（Ta）
5V
7 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 5mA
9 nC @ 5 V
+6V，-4V
900 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。